RU
CN
BY
EN
Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)
Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)
|
Обозначение | Прототип | Функциональное назначение | Тип корпуса | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IZ024N | IRFU024N | N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А | б/к | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IWP5NK80Z | STP5NK80Z | N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А | TO-220/3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ11N90** | N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ9N90** | N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ10N80** | N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ3N80** | N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFD1N80 | WFD1N80 | N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А | D-PAK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFU1N80 | WFU1N80 | N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А | I-PAK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFP1N80 | WFP1N80 | N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А | TO-220/3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ12N65** | N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ10N65** | N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ7N65** | N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ4N65** | N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ2N65** | N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ1N65** | N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ40N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ28N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ24N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ20N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ12N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IZ10N60** | N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А | б/к | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFP7N60 | WFP7N60 | N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А | TO-220/3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFF4N60 | WFF4N60 | N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А | TO-220FP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFP4N60 | STP4NC60 | N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А | TO-220/3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFF2N60 | WFF2N60 | N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А | TO-220FP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFP2N60 | STP2NC60 | N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А | TO-220/3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFD2N60 | WFD2N60 | N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А | D-PAK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFU2N60 | WFU2N60 | N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А | I-PAK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFD1N60 | WFD1N60 | N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А | D-PAK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFU1N60 | WFU1N60 | N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А | I-PAK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||