Кристальное производство
Кристальное производство - чистые комнаты и линии по формированию структур ИМС и дискретных приборов на полупроводниковых пластинах.
Суммарно производственные мощности кристального производства, классы 1, 10, 100, 1000 составляют:
Обработка пластин Ø200 мм с проектными нормами 0,35 мкм - 8,4 тыс. шт./год
Обработка пластин Ø150 мм с проектными нормами 0,8 мкм - 78,5 тыс. шт./год
Обработка пластин Ø100 мм с проектными нормами 1,2 мкм - 355 тыс. шт./год
Обработка пластин Ø100 мм с проектными нормами 2,0 мкм - 180 тыс. шт./год
Производство пластин
Пластины монокристаллического кремния (ПМК) диаметром 100, 150, 200 мм
для производства микроэлектронных приборов:
- диаметром 100 мм для микроэлектронных приборов с проектными нормами более 1,2 мкм;
- диаметром 150 мм для микроэлектронных приборов с проектными нормами 0,8 мкм;
- диаметром 200 мм для микроэлектронных приборов с проектными нормами 0,5 - 0,35 мкм.
Мощности:
Производство пластин монокристаллического кремния (ПМК) для микроэлектронных приборов
- диаметром 100 мм - 805 тыс. шт. в год;
- диаметром 150 мм - 150 тыс. шт. в год;
- диаметром 200 мм - 10 тыс. шт. в год.
Чистые помещения:
- класса 1 – 195 кв. м.
- класса 10 – 920 кв. м.
- класса 100 – 1635 кв. м.
- класса 1000 – 6500 кв. м.
- класса 10000 – 4133 кв. м.
- класса 100000 – 16287 кв. м.
Технологические возможности кристального производства:
КМОП технология, 035 мкм, 2 ПКК, 3 Ме
БиКМОП технология, 0,8 мкм, 3 ПКК, 2 Ме
Высоковольтная КМОП технология, 0,8 мкм, 2 ПКК, 1Ме
Биполярные технологии, 1,5…5 мкм, 1-2 Ме
БиКДМОП, ДМОП технологии, 0,8…2 мкм, 1 Ме
Технология биполярных СВЧ транзисторов
Технологии диодов Шоттки
Планарная технология изготовления тиристоров с разделением встречной диффузией
Эпитаксиально-планарная и диффузионно-планарная технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов, в том числе мощных высоковольтных транзисторов