К содержанию
Шрифт
А
А
А
Цвет
Ц
Ц
Ц
Ц
Ц
Дополнительно
Графика
Включить
Отключить
Монохромные изображения
Отключить Flash
Кернинг
Стандартный
Средний
Большой
Интервал
Одинарный
Полуторный
Двойной
Гарнитура
Без засечек
С засечками
Звук
Отключить
Тише
Нормально
Громче
Текущий уровень громкости:
50
Вернуть стандартные настройки
Обычная версия сайта
Закрыть дополнительные настройки
© Слабовид LITE: Версия для слабовидящих
Вы здесь:
Главная
Продукция
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Полевые
Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)
IFD1N80
IFD1N80
IFD1N80
Купить
Характеристики
Прототип:
WFD1N80
Функциональное назначение:
N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А
Тип корпуса:
D-PAK