Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)

Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)

IZ024N

  • Прототип: IRFU024N
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А
  • Тип корпуса: б/к

IWP5NK80Z

  • Прототип: STP5NK80Z
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А
  • Тип корпуса: TO-220/3

IZ11N90**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ9N90**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ10N80**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ3N80**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А
  • Тип корпуса: б/к

IFD1N80

  • Прототип: WFD1N80
  • Функциональное назначение: N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А
  • Тип корпуса: D-PAK

IFU1N80

  • Прототип: WFU1N80
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А
  • Тип корпуса: I-PAK

IFP1N80

  • Прототип: WFP1N80
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А
  • Тип корпуса: TO-220/3

IZ12N65**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ10N65**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ7N65**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ4N65**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ2N65**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ1N65**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ40N60**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ28N60**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ24N60**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ20N60**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ12N60**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А
  • Тип корпуса: б/к

IZ10N60**

  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А
  • Тип корпуса: б/к

IFP7N60

  • Прототип: WFP7N60
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А
  • Тип корпуса: TO-220/3

IFF4N60

  • Прототип: WFF4N60
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А
  • Тип корпуса: TO-220FP

IFP4N60

  • Прототип: STP4NC60
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А
  • Тип корпуса: TO-220/3

IFF2N60

  • Прототип: WFF2N60
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А
  • Тип корпуса: TO-220FP

IFP2N60

  • Прототип: STP2NC60
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А
  • Тип корпуса: TO-220/3

IFD2N60

  • Прототип: WFD2N60
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А
  • Тип корпуса: D-PAK

IFU2N60

  • Прототип: WFU2N60
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А
  • Тип корпуса: I-PAK

IFD1N60

  • Прототип: WFD1N60
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А
  • Тип корпуса: D-PAK

IFU1N60

  • Прототип: WFU1N60
  • Функциональное назначение: N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А
  • Тип корпуса: I-PAK