Эпитаксия

ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» имеет оборудование, которое позволяет изготавливать эпитаксиальные структуры для различных применений.

Мы можем изготавливать эпитаксиальные структуры как на собственных пластинах, так и на пластинах заказчика.

По заказу потребителя возможно наращивание эпитаксиальных слоев кремния на пластинах со скрытыми слоями (ионно-легированные и диффузионные структуры).

Параметр, единица измерения	Значение
Диаметр подложки, мм	100, 150
Ориентация	(111), (100)
Легирующая примесь подложки	Сурьма, Бор
Толщина эпитаксиального слоя, мкм	3,0 – 15
Легирующая примесь эпитаксиального слоя	Фосфор
Удельное сопротивление эпитаксиального слоя, Ом•см	n-тип 0,5 – 5,0
Типы однослойных структур	n-n+, n-p+
Эпитаксия на пластинах со скрытыми слоями	до 2-х скрытых слоев

ОАО "ИНТЕГРАЛ" также предлагает изготовление ИМС и полупроводниковых приборов на основе конструкции Заказчика (поставка по результатам функционального контроля), услуги полупроводникового производства - выполнение отдельных технологических операций или блоков операций (напыление металлов, осаждение пленок, выращивание эпитаксиальных слоёв, утонение обратной стороны пластины и т. п.), изготовление исходных кремниевых подложек по спецификации Заказчика, сборка и измерение приборов в пластмассовых и металлокерамических корпусах.