МЕНЮ Высокие технологии для лучшей жизни
RU
Выбрать язык
CN BY EN
Полупроводниковые приборы устойчивые к СВВФ

Полупроводниковые приборы устойчивые к СВВФ

Меню раздела Выбрать параметры Заказать выбранное
Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса Диапазон температур h21е Ic max, A Iимп.макс, А Iкбо, мкА Iкэк, мА Iк max, мА Iпр.макс , А I обр., мА Полярность P max, Вт Рк max, Вт Rси, Oм Uэб max, В Uкб max, В Uкэ max, В Uкэ нас, В Uобр. макс, В Uпр., В (при Iпр., А) Uси max, В Uзи max, В Uзи пор, В
2С487А-Т   Серия стабилитронов предназначена для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2Д814А1   Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2Д814А   Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                                            
2Д695В   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2Д695Б   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2Д695А   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2П7145А-5/ИМ IRFP250   б/к     30               150   0,1             200 ±20 2,0...4,0
2П771А-6 STP40N10   б/к     40               150   0,045             100 ±20 2,0...4,0
2П771А-5 STP40N10   б/к     40               150   0,045             100 ±20 2,0...4,0
2П525А-5     б/к     1,14               3   1,4             100 ±10 1,5…2,5
2Е802А-5 IRG4DC30   б/к           0,25 23         50   ±20   600 2,7          
2Т8224А-5     б/к*   3,5...10     0,2   10     NPN   65   5 1500 700 2          
2ДШ2121А-5/ИМ     б/к       50       5 0,2                 100 0,8 (5,0)      
2Д522Б   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                                            
2Д510А   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                                            
2П7145Б1/ИМ IRFP250   КТ-97С -60 +100 °С   26               150   0,1             200 ±20 2,0...4,0
2П7145Б/ИМ IRFP250   КТ-9 -60 +100 °С   26               150   0,1             200 ±20 2,0...4,0
2П7145А1/ИМ IRFP250   КТ-97С -60 +100 °С   30               150   0,085             200 ±20 2,0...4,0
2П7145А/ИМ IRFP250   КТ-9 -60 +100 °С   30               150   0,085             200 ±20 2,0...4,0
2П771А91 STP40N10   КТ-90 -60 +100 °С   40               150   0,045             100 ±20 2,0...4,0
2П771А STP40N10   КТ-28-2 -60 +100 °С   40               150   0,045             100 ±20 2,0...4,0
2ДШ142АС9     КТ-46A -60 +100 °С     0,07       0,05 0,01                 18 0,57 (0,05)      
2ДШ142А9     КТ-46A -60 +100 °С     0,07       0,05 0,01                 18 0,57 (0,05)      
2П7233А     КТ-97В -60 +125 °С   40               150   0,03             60 ±10 1,0...2,0
2П7172А     КТ-97В -60 +125 °С   30               125   0,05             100 ±20 2,0...4,5
2П525А9     КТ-99-1 -60 +125 °С   1,14               3   1,4             100 ±10 1,5…2,5
2П524А9     КТ-99-1 -60 +125 °С   1,4               1   1             60 ±10 1,0...2,0
2П524А-5     КТ-99-1 -60 +125 °С   1,4               1   1             60 ±10 1,0...2,0
2ТД8307А9     КТ-99-1 -60 +125 °С >3000         2     NPN   5   5 80 40            
2ТД543А9     КТ-99-1 -60 +125 °С >2000         1     NPN   0,8   5 80 80            

Задать вопрос