Полупроводниковые приборы

Варикапные матрицы

Выбрать параметры

	Обозначение	Прототип	Тип корпуса	Cв, пФ	Диапазон температур	I обр., мА	Кол-во элементов	Кс	Q (пКл) [tвос (нс)]	Схема соединения	Uобр. макс, В
	КВС111Д2		КТ-26	29,0...37,0	-60 +100 °С	0,2	2	1,9	100	Общий катод	15
КВС111Д2 Характеристики Документация Тех. поддержка
	КВС111Г2		КТ-26	33,0...36,0	-60 +100 °С	1	2	2,1	150	Общий катод	30
КВС111Г2 Характеристики Документация Тех. поддержка
	КВС111В2		КТ-26	33,0...36,3	-60 +100 °С	1	2	2,1	200	Общий катод	30
КВС111В2 Характеристики Документация Тех. поддержка
	КВС111Б2		КТ-26	29,7...36,3	-60 +100 °С	1	2	2,1	150	Общий катод	30
КВС111Б2 Характеристики Документация Тех. поддержка
	КВС111А2	ВВ204	КТ-26	29,7...36,3	-60 +100 °С	1	2	2,1	200	Общий катод	30
КВС111А2 Характеристики Документация Тех. поддержка