Биполярные

	Обозначение	Применение, элементная база	Характеристика процесса
	60 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-60”	Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 60В Вертикальный NPN транзистор: Вn=150 Uce=70 В Горизонтальный РNP транзистор: Вр=65 Uсе=70 В Вертикальный РNP транзистор: Вр=60 Uсе=70 В Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+; Ме1-Ме2. Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.	Количество фотолитографий, шт 13-15 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 7.5КЭС13/1.95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 15.5КЭФ6.5 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.0 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 99 Расстояние между транзисторами, мкм 4 Коммутация: контакты 1, мкм 33 шаг 1 металл, мкм 9.0 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 14.0
60 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-60” Тех. поддержка
	40 В комплементарный с изоляцией p-n переходом “Bp30С-40”	Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 40В Вертикальный NPN транзистор: Вn=150 Uce=48 В Горизонтальный РNP транзистор: Вр=65 Uсе=60 В Вертикальный РNP транзистор: Вр=60 Uсе=60 В Вертикальный РNP с изолированным коллектором: Вр=80 Uсе=50 В Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+; Ме1-Ме2. Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.	Количество фотолитографий, шт 11-17 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 7.5КЭС13/1.95КДБ350 Эпитаксиальный слой: 14КЭФ4.0 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.0 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 99 Расстояние между транзисторами, мкм 4 Коммутация: контакты 1, мкм 33 шаг 1 металл, мкм 9.0 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 14.0
40 В комплементарный с изоляцией p-n переходом “Bp30С-40” Тех. поддержка
	20 В с изоляцией p-n переходом	Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В Вертикальный NPN: Вn=150 Uce=28 В Горизонтальный РNP: Вр=35 Uсе=45 В Вертикальный РNP: Вр=35 Uсе=45 В I2L вентиль Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-+; Ме1-Ме2. Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.	Количество фотолитографий, шт. 13 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 5КЭС17/1.6КДБ510 Эпитаксиальный слой: 10КЭФ1,25 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.4 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 6 Расстояние между транзисторами, мкм 6 Коммутация: контакты 1, мкм 4 шаг 1 металл, мкм 13.0 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 12.0
20 В с изоляцией p-n переходом Характеристики Тех. поддержка
	15 В с изоляцией p-n переходом	Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В Вертикальный NPN: Вn=150 Uce=28 В Горизонтальный РNP: Вр=35 Uсе=45 В Вертикальный РNP: Вр=35 Uсе=45 В Конденсатор: Ме-n+эмиттер. Резисторы в слое ПКК	Количество фотолитографий, шт 10-13 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 6КЭС20/1.95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 8КЭФ4.5 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.4 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 6 Расстояние между транзисторами, мкм 6 Коммутация: контакты 1, мкм 4 шаг 1 металл, мкм 13
15 В с изоляцией p-n переходом Характеристики Тех. поддержка
	Диоды Шоттки с Мо барьером	Кремниевые быстро действующие диоды для импульсных источников питания. U обр.В 40 – 150 I обр.мка < 250 Iпр. мах. А 1 - 30	Количество фотолитографий, шт. 4 размер мм 1 0. 76х0.76 - 4х4 Подложка: 460КЭМ0.0035 (111) Эпитаксиальный слой: 4.5КЭФ(0.6-0.8) Изоляция: p-n переход с полевым окислом Металлизация Аl + Mo-Ti-Ni-Ag
Диоды Шоттки с Мо барьером Характеристики Тех. поддержка
	Технология изготовления тиристоров, триаков	Iос=2,0 А Uпроб=(600-800) В	Подложка КОФ35, 10 фотолитографий (контактная, двухсторонняя) База: диффузия бора, глубина, мкм 35-45 Катод: диффузия фосфора, глубина, мкм 15-18 Защита p-n переходов: SiPOS, Si3N4, СТФСС Металлизация:Al 2,0 мкм Пассивация: НТФСС+ПХО Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Технология изготовления тиристоров, триаков Характеристики Тех. поддержка
	Биполярная технология изготовления мощных pnp-транзисторов Дарлингтона	Uкб=(60-70) B Uкэ=(60-70) В Iк=(2,0-12) А h21э>500	Эпитаксиальная структура Подложка КДБ 0,05 (111): Толщина слоя, мкм 25-33 Удельное сопротивление, Ом x см 10-18 6,7 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация фосфора, глубина, мкм 6-8 Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм 2,5-5,5 Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5 Металлизация: Al 4,5 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Биполярная технология изготовления мощных pnp-транзисторов Дарлингтона Характеристики Тех. поддержка
	Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А	Uкб=(80-160) B Uкэ=(30-90) В Iк=(7,5-16) А h21э>15	Эпитаксиальная структура Подложка КДБ 0,05 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 25-28 Удельное сопротивление, Ом x см 8-11 7 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация фосфора, глубина, мкм 4,5-7,5 Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм 1,4-2,5 Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5 Металлизация: Al 4,0 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А Характеристики Тех. поддержка
	Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с областью рабочих напряжений (200-300) В	Uкб=(250-300) B Uкэ=(200-250) В Iк=(0,4-0,5) А h21э>40	питаксиальная структура Подложка КДБ 0,03 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 40-45 Удельное сопротивление, Ом x см 40-50 7 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация фосфора, глубина, мкм 3-5,5 Эмиттер: диффузия бора Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS Металлизация: Al 1,4 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag-Sn-Pb-Sn
Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с областью рабочих напряжений (200-300) В Характеристики Тех. поддержка
	Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов Дарлингтона	Uкб=(330-350) B Uкэ=(150-350) В Iк=(5-15) А h21э>100	Подложка КЭС 0,01 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 27-38 Удельное сопротивление, Ом x см 8-21 6-7 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация, глубина, мкм 6-8 Эмиттер: диффузия, глубина, мкм 2,5-5,5 Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS Металлизация: Al 4,5 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag Пассивация: НТФСС(ПХО)
Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов Дарлингтона Характеристики Тех. поддержка
	Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (300-700)В	Uкб=(300-700) B Uкэ=(300-400) В Iк=(0,5-8,0) А h21э=(8-40)	Эпитаксиальная структура Подложка: КЭС 0,01 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 50-80 Удельное сопротивление, Ом-см 40-50 7-8 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация, Глубина, мкм 2,8-4,6 Эмиттер: диффузия, глубина, мкм 1,4-2,8 Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS Металлизация: Al 1,4; 4,5 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag Пассивация: НТФСС(ПХО)
Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (300-700)В Характеристики Тех. поддержка
	Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (160-300) В	Uкб=(160-300) B Uкэ=(160-300) В Iк=(0,1-1,5) А h21э>25	Эпитаксиальная структура Подложка: КЭС 0,01 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 35,50 Удельное сопротивление, Ом-см 23 7-8 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация, глубина, мкм 2,8-4,6 Эмиттер: диффузия, глубина, мкм 1,4-2,8 Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS Металлизация: Al 1,4 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag(Sn-Pb-Sn) Пассивация: НТФСС(ПХО)
Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (160-300) В Характеристики Тех. поддержка
	Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов с рабочим напряжениям 1500В	Uкэ=1500 B Uкэ=(700-800) В Iк=(5-12) А	Подложка: КОФ 102-90 8 фотолитографий (контактная): База: ионная имплантация глубина, мкм 20-26 Эмиттер: диффузия, глубина, мкм 10-15 Защита p-n перехода коллектор – база: SiPOS Металлизация: алюминий 4,5 мкм Радиационная обработка для обеспечения динамики. Матирование обратной стороны Обратная сторона: напыление Ti-Ni-Ag
Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов с рабочим напряжениям 1500В Характеристики Тех. поддержка
	Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с двумя уровнями металлизации	Вертикальный NPN: h21э=(80-200) Uкэ≥18 В Горизонтальный РNP: h21э≥ 20 Uкэ≥20 В Емкость:n+ - Al Резисторы в слоях: База; эмиттер, контакты.	Количество фотолитографий, шт. 11-14 Проектная норма, мкм 4 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые cлои: 5КЭС17/(1.6-1,95) КДБ (210-510) Эпитаксиальный лой: 10-14 КЭФ1,25-4,5 Изоляция: p-n переход Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия. Слои база, резистор – методом ионной имплантации Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния. Глубина p-базы, мкм 1,8-2,8 Глубина N+эмиттера, мкм 0,9-2,2 1-ый межслойный диэлектрик: СТФСС+Si3N4 2-ой межслойной диэлектрик: НТФСС 1-ый уровень металлизации: AlSiCuTi 0,55 мкм 2-ой уровень металлизации: AlSi, Al- (1,4 – 3,0) мкм Пассивация: ПХО 1,2 мкм
Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с двумя уровнями металлизации Характеристики Тех. поддержка
	Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации	Вертикальный NPN: h21э=(100-300) Uкэ≥38 В Горизонтальный РNP: h21э≥20 Uкэ≥38 В Емкость:n+ - Al Резисторы в слоях: База; резистор, поликремний	Количество фотолитографий, шт. 7-12 Проектная норма, мкм 4 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 5-6 КЭС 20-25/(1.6-1,95) КДБ (210-510) Эпитаксиальный слой: (13,3 – 14,5) КЭФ (3,6 – 4,5) Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 1,8-2,8 Глубина N+эмиттера, мкм 0,9-2,2 Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия. Поликремневый резистор Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния. Межслойный диэлектрик СТФСС Металлизация: алюминий 1,4 мкм Пассивация: ПХО 1,2 мкм
Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации Характеристики Тех. поддержка
	5 В «Изопланар – 1» “BpI-30-5”	Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В Вертикальный NPN транзистор: Вп=100 Uсе=8 В Горизонтальный PNP транзистор: Вр=25 Uce=20 В Резисторы в слое: База	Количество фотолитографий, шт 15 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 2,5КЭС35/1,95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 1.5КЭФ0.3 Изоляция: LOCOS + p+ - охранные кольца Глубина p-базы, мкм 0.854 Глубина N+эмиттера, мкм 0.55 Размер эмиттера, мкм 23 Расстояние между транзисторами, мкм 2 Коммутация: контакты 1, мкм 23 шаг 1 металл, мкм 6.5 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 10.0
5 В «Изопланар – 1» “BpI-30-5” Характеристики Тех. поддержка
	40 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-40”	Цифроаналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 40В Вертикальный NPN транзистор: Вn=150 Uce=48 В Горизонтальный РNP транзистор: Вр=65 Uсе=60 В Вертикальный РNP транзистор: Вр=60 Uсе=60 В Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+; Ме1-Ме2. Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор. Поликремний	Количество фотолитографий, шт 8-13 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 13КЭФ3.5 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.0 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 99 Расстояние между транзисторами, мкм 4 Коммутация: контакты 1, мкм 33 шаг 1 металл, мкм 9.0 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 14.0
40 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-40” Характеристики Тех. поддержка
	20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”	Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В Вертикальный NPN транзистор: Вn=150 Uce=27 В Горизонтальный РNP транзистор: Вр=30 Uсе=35 В Вертикальный РNP транзистор: Вр=45 Uсе=35 В Вертикальный РNP с изолированным коллектором: Вр=80 Uсе=30 В Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+; Ме1-Ме2. Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.	Количество фотолитографий, шт. 12-14 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 8КЭФ1.5 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.0 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 77 Расстояние между транзисторами, мкм 4 Коммутация: контакты 1, мкм 33 шаг 1 металл, мкм 9.0 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 12.0
20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20” Характеристики Тех. поддержка
	20 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-20”	Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В Вертикальный NPN транзистор: Вn=150 Uce=28 В Горизонтальный РNP транзистор: Вр=35 Uсе=45 В Вертикальный РNP транзистор: Вр=35 Uсе=45 В I2L вентиль Емкости: Э-Б; К-Б; Ме- n +; Ме1-Ме2. Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.	Количество фотолитографий, шт. 8-13 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 9КЭФ2.0 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.2 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 99 Расстояние между транзисторами, мкм 4 Коммутация: контакты 1, мкм 33 шаг 1 металл, мкм 9.0 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 12.0
20 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-20” Характеристики Тех. поддержка