Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации
Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации
- Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт. 7-12
Проектная норма, мкм 4
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 5-6 КЭС 20-25/(1.6-1,95) КДБ (210-510)
Эпитаксиальный слой: (13,3 – 14,5) КЭФ (3,6 – 4,5)
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 1,8-2,8
Глубина N+эмиттера, мкм 0,9-2,2
Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия.
Поликремневый резистор
Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния.
Межслойный диэлектрик СТФСС
Металлизация: алюминий 1,4 мкм
Пассивация: ПХО 1,2 мкм - Применение, элементная база: Вертикальный NPN:
h21э=(100-300)
Uкэ≥38 В
Горизонтальный РNP:
h21э≥20
Uкэ≥38 В
Емкость:n+ - Al
Резисторы в слоях:
База; резистор, поликремний