• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.    7-12
  Проектная норма, мкм          4
  Подложка:                         460КДБ10 (111)
  Скрытые слои:            5-6 КЭС 20-25/(1.6-1,95) КДБ (210-510)
  Эпитаксиальный слой:  (13,3 – 14,5) КЭФ (3,6 – 4,5)
  Изоляция:                 p-n переход
  Глубина p-базы, мкм                        1,8-2,8
  Глубина N+эмиттера, мкм                0,9-2,2
  Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия.
  Поликремневый резистор
  Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния.
  Межслойный диэлектрик СТФСС
  Металлизация: алюминий 1,4 мкм
  Пассивация: ПХО  1,2 мкм
• Применение, элементная база: Вертикальный NPN:
  h21э=(100-300)
  Uкэ≥38 В
  Горизонтальный РNP:
  h21э≥20
  Uкэ≥38 В
  Емкость:n+ - Al
  Резисторы в слоях:
  База; резистор, поликремний