RU
CN
BY
EN
ДМОП
|
Обозначение | Применение, элементная база | Характеристика процесса | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Полевые Р ДМОП транзисторы | MOSFET Маломощные Мощные Vtn=0,8–2,0 В Vtn=2,0–4,0 В Uпр= 50–240 В Uпр= 60–100В Pmax=1,0 Вт Pmax=150 Вт |
Кол-во фотолитографий, шт. 7-9 Проектная норма, мкм 3.0 Подложка: КДБ 0,005 эпитаксиальный слой: толщина, мкм 13–34 удельное сопротивление, Ом*см (2-21) подзатворный окисел, нм 42,5-80
Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС)
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Полевые N ДМОП транзисторы | MOSFET Маломощные Мощные Vtn=0,6–3,0 В Vtn=2,0–4,0 В Uпр= 50–200 В Uпр= 50–600В Pmax=1,0 Вт Pmax=200 Вт |
Кол-во фотолитографий, шт. 7-9 Проектная норма, мкм 3.0 Подложка: КЭС 0,01 эпитаксиальный слой: толщина, мкм 9-42 удельное сопротивление, Омxсм (0,7-16) подзатворный окисел, нм 42,5-80 Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС) Пассивация: НТФСС |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм | MOSFET NMOS: Vtn=2÷4 В Uмакс= 60÷900 В |
Кол-во фотолитографий, шт. 8 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: КЭС 0,015 / КЭМ 0,003 эпитаксиальный слой: толщина, мкм 8-75 удельное сопротивление, Ом*см 0,67-31,5 подзатворный окисел, нм 60-100 Межслойный диэлектрик СТО + БФСС Пассивация ПХО+ПХ SI3N4 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||