МЕНЮ Филиалу "Камертон" - 45 лет!
RU
Выбрать язык
CN BY EN

Полевые

Меню раздела Выбрать параметры Заказать выбранное
Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса Диапазон температур Ic max, A Iост, мкА Рк max, Вт Rси, Oм S, A/В Uси max, В Uзи max, В Uзи пор, В
КП508А BSS92   КТ-26 -55 +125 °С -150 -1 1 20 0,06 -240 ±20 -0,8...(-2,0)
КП507А BSS315   КТ-26 -55 +125 °С -1100 -1 1 0,8 0,25 -50 ±20 -0,8...(-2,0)
КП523Б     КТ-26 -55 +150 °С 340 1 0,7 4 0,5 200 ±14 0,8...2,0
КП523А BSS297А   КТ-26 -55 +150 °С 480 1 0,7 2 0,5 200 ±14 0,8...2,0
КП511Б TN0540   КТ-26 -45 +125 °С 140 10 0,8 22 0,13 400 ±20 0,8...2,0
КП511А TN0535   КТ-26 -45 +125 °С 140 10 0,8 22 0,13 350 ±20 0,8...2,0
КП509В9     КТ-46A -55 +125 °С 100   0,4 16 0,06 200 ±14 0,8...2,0
КП509А9 BSS131   КТ-46A -55 +125 °С 100   0,4 16 0,16 240 ±14 0,8...2,0
КП505Г     КТ-26 -55 +125 °С 500 1 0,7 1,2 - 8 ±10 0,4...0,8
КП505В     КТ-26 -55 +125 °С 1400 1 1 0,3 0,5 60 ±20 0,8...2,0
КП505Б BSS295   КТ-26 -55 +125 °С 1400 1 1 0,3 0,5 50 ±20 0,8...2,0
КП505А BSS295   КТ-26 -55 +125 °С 1400 1 1 0,3 0,5 50 ±20 0,8...2,0
КП504Е     КТ-26 -55 +125 °С 200 1 0,7 8 0,14 240 ±10 0,6...1,2
КП504Д     КТ-26 -55 +125 °С 200 1 0,7 8 0,14 240 ±10 0,6...1,2
КП504Г     КТ-26 -55 +125 °С 180 1 0,7 10 0,14 250 ±10 0,6...1,2
КП504В     КТ-26 -55 +125 °С 200 1 0,7 8 0,14 200 ±10 0,6...1,2
КП504Б BSS88   КТ-26 -55 +125 °С 250 1 1 8 0,14 240 ±10 0,6...1,2
КП504А BSS88   КТ-26 -55 +125 °С 250 1 1 8 0,14 240 ±10 0,6...1,2
КП502А BSS124   КТ-26 -55 +125 °С 120 1 0,7 28 0,1 400 ±10 1,5...2,5
КП501В     КТ-26 -55 +100 °С 180 10 0,5 15 >0,1 200 ±20 -
КП501Б     КТ-26 -55 +100 °С 180 10 0,5 10 >0,1 200 ±20 1,0...3,0
КП501А ZVN2120   КТ-26 -55 +100 °С 180 10 0,5 10 >0,1 240 ±20 1,0...3,0
IZ024N IRFU024N N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А б/к                  
IWP5NK80Z STP5NK80Z N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А TO-220/3                  
IZ11N90**   N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А б/к                  
IZ9N90**   N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А б/к                  
IZ10N80**   N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А б/к                  
IZ3N80**   N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А б/к                  
IFD1N80 WFD1N80 N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А D-PAK                  
IFU1N80 WFU1N80 N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А I-PAK                  

Задать вопрос