Полупроводниковые приборы

Полевые

	Обозначение	Прототип	Функциональное назначение	Тип корпуса	Диапазон температур	Ic max, A	Iост, мкА	Рк max, Вт	Rси, Oм	S, A/В	Uси max, В	Uзи max, В	Uзи пор, В
	КП508А	BSS92		КТ-26	-55 +125 °С	-150	-1	1	20	0,06	-240	±20	-0,8...(-2,0)
КП508А Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП507А	BSS315		КТ-26	-55 +125 °С	-1100	-1	1	0,8	0,25	-50	±20	-0,8...(-2,0)
КП507А Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП523Б			КТ-26	-55 +150 °С	340	1	0,7	4	0,5	200	±14	0,8...2,0
КП523Б Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП523А	BSS297А		КТ-26	-55 +150 °С	480	1	0,7	2	0,5	200	±14	0,8...2,0
КП523А Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП511Б	TN0540		КТ-26	-45 +125 °С	140	10	0,8	22	0,13	400	±20	0,8...2,0
КП511Б Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП511А	TN0535		КТ-26	-45 +125 °С	140	10	0,8	22	0,13	350	±20	0,8...2,0
КП511А Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП509В9			КТ-46A	-55 +125 °С	100		0,4	16	0,06	200	±14	0,8...2,0
КП509В9 Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП509А9	BSS131		КТ-46A	-55 +125 °С	100		0,4	16	0,16	240	±14	0,8...2,0
КП509А9 Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП505Г			КТ-26	-55 +125 °С	500	1	0,7	1,2	-	8	±10	0,4...0,8
КП505Г Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП505В			КТ-26	-55 +125 °С	1400	1	1	0,3	0,5	60	±20	0,8...2,0
КП505В Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП505Б	BSS295		КТ-26	-55 +125 °С	1400	1	1	0,3	0,5	50	±20	0,8...2,0
КП505Б Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП505А	BSS295		КТ-26	-55 +125 °С	1400	1	1	0,3	0,5	50	±20	0,8...2,0
КП505А Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП504Е			КТ-26	-55 +125 °С	200	1	0,7	8	0,14	240	±10	0,6...1,2
КП504Е Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП504Д			КТ-26	-55 +125 °С	200	1	0,7	8	0,14	240	±10	0,6...1,2
КП504Д Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП504Г			КТ-26	-55 +125 °С	180	1	0,7	10	0,14	250	±10	0,6...1,2
КП504Г Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП504В			КТ-26	-55 +125 °С	200	1	0,7	8	0,14	200	±10	0,6...1,2
КП504В Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП504Б	BSS88		КТ-26	-55 +125 °С	250	1	1	8	0,14	240	±10	0,6...1,2
КП504Б Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП504А	BSS88		КТ-26	-55 +125 °С	250	1	1	8	0,14	240	±10	0,6...1,2
КП504А Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП502А	BSS124		КТ-26	-55 +125 °С	120	1	0,7	28	0,1	400	±10	1,5...2,5
КП502А Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП501В			КТ-26	-55 +100 °С	180	10	0,5	15	>0,1	200	±20	-
КП501В Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП501Б			КТ-26	-55 +100 °С	180	10	0,5	10	>0,1	200	±20	1,0...3,0
КП501Б Характеристики Документация Тех. поддержка
	КП501А	ZVN2120		КТ-26	-55 +100 °С	180	10	0,5	10	>0,1	240	±20	1,0...3,0
КП501А Характеристики Документация Тех. поддержка
	IZ024N	IRFU024N	N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А	б/к
IZ024N Характеристики Тех. поддержка
	IWP5NK80Z	STP5NK80Z	N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А	TO-220/3
IWP5NK80Z Характеристики Тех. поддержка
	IZ11N90**		N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А	б/к
IZ11N90** Характеристики Тех. поддержка
	IZ9N90**		N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А	б/к
IZ9N90** Характеристики Тех. поддержка
	IZ10N80**		N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А	б/к
IZ10N80** Характеристики Тех. поддержка
	IZ3N80**		N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А	б/к
IZ3N80** Характеристики Тех. поддержка
	IFD1N80	WFD1N80	N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А	D-PAK
IFD1N80 Характеристики Тех. поддержка
	IFU1N80	WFU1N80	N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А	I-PAK
IFU1N80 Характеристики Документация Тех. поддержка

Товары 1 - 30 из 166

Начало Предыдущая 1 2 3 4 5 Следующая Конец