МЕНЮ Филиалу "Камертон" - 45 лет!
RU
Выбрать язык
CN BY EN

Полевые

Меню раздела Выбрать параметры Заказать выбранное
Обозначение Функциональное назначение Тип корпуса Диапазон температур Ic max, A Iост, мкА P max, Вт Рк max, Вт Rси, Oм S, A/В Uси max, В Uзи max, В Uзи пор, В
2П7234А-5   б/к   -17   150   0,22   -100 ± 20 -2,0 ÷ -4,0
2П7234А   КТ-97В   -17   150   0,22   -100 ±20 -2,0 ÷ -4,0
2П7209А   КТ-97В   -19   150   0,2   -100 ±20 -2,0 ÷ -4,0
КП7128Б   КТ-28-2 -55 +125 °С -35   200   0,08   -100 ±20 -2,0...(-4,0)
КП796В   КТ-28-2 -55 +150 °С -4,1   74   1,4   -200 ±20 -2,0...(-4,0)
КП796Б   КТ-28-2 -55 +150 °С -3,7   74   1   -300 ±20 -2,0...(-4,0)
КП775В   КТ-28-2 -55 +150 °С 50   150   0,016   60 ±20 1,0...2,0
КП775Б   КТ-28-2 -55 +150 °С 50   150   0,009   55 ±20 1,0...2,0
КП780В9   КТ-89 -55 +125 °С 2,2   50   4   500 ±20 2,0...4,0
КП780Б9   КТ-89 -55 +125 °С 2,5   50   3   450 ±20 2,0...4,0
КП771В   КТ-28-2 -55 +150 °С 30   150   0,077   125 ±20 2,0...4,0
КП771Б   КТ-28-2 -55 +150 °С 35   150   0,055   100 ±20 2,0...4,0
КП743Б1   КТ-27 -55 +150 °С 5,5   40   0,54   100 ±20 1,2...2,0
КП743А1   КТ-27 -55 +150 °С 5,5   40   0,54   100 ±20 2,0...4,0
КП523Б   КТ-26 -55 +150 °С 340 1   0,7 4 0,5 200 ±14 0,8...2,0
КП509В9   КТ-46A -55 +125 °С 100     0,4 16 0,06 200 ±14 0,8...2,0
КП505Г   КТ-26 -55 +125 °С 500 1   0,7 1,2 - 8 ±10 0,4...0,8
КП505В   КТ-26 -55 +125 °С 1400 1   1 0,3 0,5 60 ±20 0,8...2,0
КП504Е   КТ-26 -55 +125 °С 200 1   0,7 8 0,14 240 ±10 0,6...1,2
КП504Д   КТ-26 -55 +125 °С 200 1   0,7 8 0,14 240 ±10 0,6...1,2
КП504Г   КТ-26 -55 +125 °С 180 1   0,7 10 0,14 250 ±10 0,6...1,2
КП504В   КТ-26 -55 +125 °С 200 1   0,7 8 0,14 200 ±10 0,6...1,2
КП501В   КТ-26 -55 +100 °С 180 10   0,5 15 >0,1 200 ±20 -
КП501Б   КТ-26 -55 +100 °С 180 10   0,5 10 >0,1 200 ±20 1,0...3,0
IZ11N90** N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А б/к                    
IZ9N90** N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А б/к                    
IZ10N80** N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А б/к                    
IZ3N80** N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А б/к                    
IZ12N65** N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А б/к                    
IZ10N65** N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А б/к                    

Задать вопрос