Полупроводниковые приборы

Полевые

	Обозначение	Прототип	Функциональное назначение	Тип корпуса	Ic max, A	P max, Вт	Rси, Oм	Uси max, В	Uзи max, В	Uзи пор, В
	2П7209А			КТ-97В	-19	150	0,2	-100	±20	-2,0 ÷ -4,0
2П7209А Характеристики Документация Тех. поддержка
	2П7234А			КТ-97В	-17	150	0,22	-100	±20	-2,0 ÷ -4,0
2П7234А Характеристики Документация Тех. поддержка
	2П7234А-5			б/к	-17	150	0,22	-100	± 20	-2,0 ÷ -4,0
2П7234А-5 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFD1N60	WFD1N60	N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А	D-PAK
IFD1N60 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFD1N80	WFD1N80	N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А	D-PAK
IFD1N80 Характеристики Тех. поддержка
	IFD2N60	WFD2N60	N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А	D-PAK
IFD2N60 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFF2N60	WFF2N60	N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А	TO-220FP
IFF2N60 Характеристики Тех. поддержка
	IFF4N60	WFF4N60	N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А	TO-220FP
IFF4N60 Характеристики Тех. поддержка
	IFP1N60	WFP1N60	N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А	TO-220/3
IFP1N60 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFP1N80	WFP1N80	N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А	TO-220/3
IFP1N80 Характеристики Тех. поддержка
	IFP2N60	STP2NC60	N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А	TO-220/3
IFP2N60 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFP4N60	STP4NC60	N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А	TO-220/3
IFP4N60 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFP50N06*	WFP50N06	N – канальный транзистор 60 В; 0,022 Ом – 50 А	TO-220/3
IFP50N06* Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFP730	WFP730	N – канальный транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А	TO-220/3
IFP730 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFP740	WFP740	N – канальный транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 А	TO-220/3
IFP740 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFP75N08	WFP75N08	N – канальный транзистор 80 В; 0,015 Ом – 75 А	TO-220/3
IFP75N08 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFP7N60	WFP7N60	N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А	TO-220/3
IFP7N60 Характеристики Тех. поддержка
	IFP830	WFP830	N – канальный транзистор 500 В; 1,400 Ом – 5 А	TO-220/3
IFP830 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFP840	WFP840	N – канальный транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А	TO-220/3
IFP840 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFU1N60	WFU1N60	N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А	I-PAK
IFU1N60 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFU1N80	WFU1N80	N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А	I-PAK
IFU1N80 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IFU2N60	WFU2N60	N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А	I-PAK
IFU2N60 Характеристики Документация Тех. поддержка
	IWP5NK80Z	STP5NK80Z	N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А	TO-220/3
IWP5NK80Z Характеристики Тех. поддержка
	IZ024N	IRFU024N	N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А	б/к
IZ024N Характеристики Тех. поддержка
	IZ10N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А	б/к
IZ10N60** Характеристики Тех. поддержка
	IZ10N65**		N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А	б/к
IZ10N65** Характеристики Тех. поддержка
	IZ10N80**		N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А	б/к
IZ10N80** Характеристики Тех. поддержка
	IZ11N90**		N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А	б/к
IZ11N90** Характеристики Тех. поддержка
	IZ12N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А	б/к
IZ12N60** Характеристики Тех. поддержка
	IZ12N65**		N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А	б/к
IZ12N65** Характеристики Тех. поддержка

Товары 1 - 30 из 166

Начало Предыдущая 1 2 3 4 5 Следующая Конец