Полупроводниковые приборы

С демпфирующим диодом

Выбрать параметры

	Обозначение	Прототип	Тип корпуса	Диапазон температур	h21е	Iк max, мА	Iпр.макс , А	Полярность	Rэб, Ом	Рк max, Вт	Uкб max, В	Uкэ max, В	Uкэ нас, В	Uпр., В (при Iпр., А)
	КТ872Г	BU508D	КТ-43	-60 +125 °С	>6	8000	4,5	NPN	40...80	100	1500	700	0,5	2
КТ872Г Характеристики Документация Тех. поддержка
	КТ8248А1	BU2506D	КТ-43	-25 +125 °С	3,8...9,0	5000	3	NPN	40...80	90	1500	700	3	2
КТ8248А1 Характеристики Документация Тех. поддержка
	КТ8228Б	BU2525D	КТ-43	-25 +125 °С	5...9,5	12000	8	NPN	40...75	125	1500	800	5	2
КТ8228Б Характеристики Документация Тех. поддержка
	КТ8224Б	BU2508D	КТ-43	-60 +125 °С	4...9,0	8000	4,5	NPN	40...75	100	1500	700	1,5	2
КТ8224Б Характеристики Документация Тех. поддержка