Вы здесь:
Главная
Продукция
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы устойчивые к СВВФ
Диодные матрицы
2Д918Г-1, 2Д918Г-1Н
2Д918Г-1, 2Д918Г-1Н
2Д918Г-1, 2Д918Г-1Н
Купить
Характеристики
Тип корпуса:
б/к
Диапазон температур:
-60 ÷ +125°С
Кол-во элементов:
4
Iпр.макс , А:
50
I обр., мА:
5
Q (пКл) [tвос (нс)]:
850
Схема соединения:
Общий анод
Uпр., В (при Iпр., А):
1
Uобр. макс, В:
40