Вы здесь:
Главная
Продукция
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы устойчивые к СВВФ
Диодные матрицы
2Д917А1
2Д917А1
2Д917А1
Купить
Характеристики
Тип корпуса:
Н04.16-2В
Диапазон температур:
-60 +125 °С
Кол-во элементов:
8
Iпр.макс , А:
200
I обр., мА:
5
Q (пКл) [tвос (нс)]:
[50]
Схема соединения:
Общий анод
Uпр., В (при Iпр., А):
0,87...1,17
Uобр. макс, В:
50