|
60 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-60”
|
|
|
40 В комплементарный с изоляцией p-n переходом “Bp30С-40”
|
|
|
20 В с изоляцией p-n переходом
|
|
|
15 В с изоляцией p-n переходом
|
|
|
Диоды Шоттки с Мо барьером
|
|
|
Технология изготовления тиристоров, триаков
|
|
|
Биполярная технология изготовления мощных pnp-транзисторов Дарлингтона
|
|
|
Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А
|
|
|
Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с областью рабочих напряжений (200-300) В
|
|
|
Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов Дарлингтона
|
|
|
Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (300-700)В
|
|
|
Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (160-300) В
|
|
|
Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов с рабочим напряжениям 1500В
|
|
|
Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с двумя уровнями металлизации
|
|
|
Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации
|
|
|
5 В «Изопланар – 1» “BpI-30-5”
|
|
|
40 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-40”
|
|
|
20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”
|
|
|
20 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-20”
|
|