МЕНЮ Высокие технологии для лучшей жизни
RU
Выбрать язык
CN BY EN

Транзисторы

Меню раздела Выбрать параметры Заказать выбранное
Обозначение Прототип Функциональное назначение Тип корпуса Диапазон температур fгр, МГц h21е h тока Ic max, A Iэ имп., A Iэ обр., мкА Iкэr, мкА Iк max, мА Кш, дБ Полярность P max, Вт Рк max, Вт Rси, Oм Uэб max, В Uкб max, В Uкэ max, В Uкэ нас, В Uостат., В Uси max, В Uзэ max, В Uзи max, В Uзи пор, В U меж.баз., В (max)
КП750Г1 IRL640   КТ-90 -55 +150 °С       18             125   0,18           200   ±10 1,0...2,0  
КТ3189В9 BC847C   КТ-46A -60 +85 °С 300 420...800           100 10 NPN   0,225   6 50 45 0,6            
КТ3189Б9 BC847B   КТ-46A -60 +85 °С 300 200...450           100 10 NPN   0,225   6 50 45 0,6            
КТ3189А9 BC847A   КТ-46A -60 +85 °С 300 110...220           100 10 NPN   0,225   6 50 45 0,6            
КТ3153А9     КТ-46A -45 +85 °С 250 100...300           400   NPN   0,3   5 60 50 0,35            
КП775В     КТ-28-2 -55 +150 °С       50             150   0,016           60   ±20 1,0...2,0  
КП775Б     КТ-28-2 -55 +150 °С       50             150   0,009           55   ±20 1,0...2,0  
КП775А 2SK2498   КТ-28-2 -55 +150 °С       50             150   0,009           60   ±20 1,0...2,0  
КП750Г IRL640   КТ-28-2 -55 +150 °С       18             125   0,18           200   ±10 1,0...2,0  
КТ132Б 2N2647   Case 22A-01 -60 +125 °С     0,68...0,82   2 0,2         0,3             0,7...3,5         35
КТ132А 2N2646   Case 22A-01 -60 +125 °С     0,56...0,75   2 12         0,3             0,7...3,5         35
КТ939В1     КТ-16А-2 -60 +100 °С 2400 40...200           400   NPN   4   3,5 30 30              
КТ939Б1     КТ-16А-2 -60 +100 °С 1500 20...200           400   NPN   4   3,5 30 30              
КТ939А1     КТ-16А-2 -60 +100 °С 2500 40...200           400   NPN   4   3,5 30 30              
IFD1N80 WFD1N80 N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А D-PAK                                                
IFD2N60 WFD2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А D-PAK                                                
IFD1N60 WFD1N60 N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А D-PAK                                                
IFU1N80 WFU1N80 N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А I-PAK                                                
IFU2N60 WFU2N60 N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А I-PAK                                                
IFU1N60 WFU1N60 N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А I-PAK                                                
2П7234А-5     б/к         -17             150   0,22           -100   ± 20 -2,0 ÷ -4,0  
КТД8303А-5     б/к     >1000           12000   NPN   30   5 200 200 1,3            
КЕ703А-5 IRGB14C40L   б/к -45 +150 °С             25 18       100       440 1,55     ±10      
КТ938Б-2     б/к   1800             180   NPN   1,5   2,5 28                
КТ918Б-2     б/к   1000             250   NPN   2,5   2,5 30                
КТ918А-2     б/к   800             250   NPN   2,5   2,5 30                
КТ8304Б-5     б/к     >250           8000   NPN   30   5   80 0,5            
КТ8304А-5     б/к     >200           8000   NPN   30   5   160 0,5            
КТ8301А-5     б/к     >100           10000   NPN   30   5   160 0,4            
КТ637Б-2     б/к   800             200   NPN   1,5   2,5 30