МЕНЮ Высокие технологии для лучшей жизни
RU
Выбрать язык
CN BY EN

КМОП

Обозначение Применение, элементная база Характеристика процесса
0.35 мкм; 2 ПКК; 2 металла; КМОП, ЭСППЗУ; пл. 200 мм ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп 5 В

LV NMOS: Vtn=(0.5-0,7)В Usd³12 В
LV PMOS: Vtр=-(0.6-0,8)В Usd ≤-12 В
HV- NMOS: Vtn=(0,4-0,7)В Usd³17 В
HV- РMOS: Vtр=-(0,6-0,9)В Usd ≤-15 В
Количество фотолитографий, шт.         27
(с метками)

Проектная норма, мкм                           1.2

Подложка: : Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                  3,0/1,3

Подзатворный SiO2:

низковольтные транзисторы, Å            120

высоковольтные транзисторы, Å          250

Туннельный SiO2, Å                               75

Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å              250

Длина канала:

низковольтные NMOS/PMOS, мкм   0.5/0.5

высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.1/1.0

N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,

шаг ПКК1, мкм                                       2.5

шаг по ПКК2 без контакта, мкм            1.1

Силицид

контакты 1 (заполнены W), мкм            0.5

Межслойный диэлектрик 2:

SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм              1,05

металл I                       Ti/AlCu / Ti /TiN

шаг по металлу 1, мкм                           1.0

Межуровневый диэлектрик SACVD SiO2+ПХО ТЭОС, мкм  0.95

контакты 2 (заполнены W), мкмø         0.5

металл 2                       Ti/AlCu

шаг по металлу 2, мкм                          1.1   
5 В, 1.2 мкм КМОП, 2 ПКК, 2 металла, ЭСППЗУ пл. 150 мм ЭСППЗУ большой степени интеграции
с Еп от 2,4 В до 6 В

 

LV NMOS: Vtn=(0.4-0,8)В Usd?12 В

LV PMOS: Vtр=-(0.5-0,9)В Usd <=-12 В

HV- NMOS: Vtn=(0,3-0,6)В Usd?17 В

HV- РMOS: Vtр=-(0,6-1,0)В Usd <=-15 В
Количество фотолитографий, шт.       23

(с метками)

Проектная норма, мкм                        1.2

Подложка: КДБ-12,  2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

Подзатворный SiO2:

низковольтные транзисторы, Å          250

высоковольтные транзисторы, Å       350

Туннельный SiO2, Å                             77

Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å            350

Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å        7000

Межуровневый диэлектрик: ПХО+SOG+ПХО

Длина канала:

низковольтные NMOS/PMOS, мкм  1.4/1.6

высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.6/2.6

N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,

шаг ПКК1, мкм                                     3.2

шаг по ПКК2 без контакта, мкм          2.4

шаг по ПКК2 с контактом, мкм           4,6

контакты-1, мкм                               ø 1.2

шаг по металлу 1 без контакта, мкм  3.2

шаг по металлу 2 с контактом, мкм   4,4

контакты 2, мкм                                ø 1.4

шаг по металлу 2 без контакта, мкм  4.4

шаг по металлу 2 с контактом, мкм   4,8
КМОП, 0.35 мкм, 1ПКК, 2 металла пл. 200 мм Цифровые ИМС, спецстойкие,
Епит = 3 В

NMOS:
Vtn=0.6 В, Usd >5 В
PMOS:
Vtр=-0.6 В, Usd >5 B
Кол-во фотолитографий, шт.                  15

Проектная норма, мкм                          0.35

Подложка:                      725КДБ0,015(100)

Эпитаксиальный слой:                 15КДБ12

2 ретроградных кармана

Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм      1,05 мкм

Подзатворный SiO2, Å                            70

длина канала
NMOS/PMOS, мкм                                0.35

N&P LDD- стоки

Силицид титана

металл I                              Ti/AlCu / Ti /TiN

шаг ПКК, мкм                                          0.8

контакты 1 (заполнены W), мкм      ø 0.5

шаг по металлу 1, мкм                         0.95

металл 2                                           Ti/AlCu

контакты 2 (заполнены W), мкм      ø 0.5

шаг по металлу 2, мкм                            1.1
0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм Схемы контроллеров напряжения питания
Епит от 2,7 до 5,5 В

NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В
PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B
Кол-во фотолитографий, шт.             17

Проектная норма, мкм                      0.5

Подложка: Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
2 кармана,

Глубина в активной области, мкм     1,0

Подзатворный SiO2, Å                      120

шаг ПКК, мкм                                      1.0

длина канала
NMOS/PMOS, мкм                        0.6/0.6

N и P  LDD- стоки

ПКК резистор

Конденсаторы ПКК1 – ПКК2

Конденсаторный диэлектрик СТО, Å  300

Силицид

контакты 1 (заполнены W), мкм        0.5

Межслойный диэлектрик:

SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм          1,05

металл I, 2                          Ti/AlCu / Ti /TiN

шаг по металлу 1, мкм                       1.0

шаг по металлу 2, мкм                       1.1
металл 3                                      /Ti/AlCu

контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø  0.6

шаг по металлу 3, мкм                       1.2
3-5 В, 0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм Часовые ИС с  Епит от 2 до 5.5 В

NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В
PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B
Кол-во фотолитографий, шт.       18

Проектная норма, мкм                 0.5

Подложка: Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)

N карман,

Глубина в активной области, мкм  1,0

Подзатворный SiO2, Å                 120

шаг ПКК, мкм                                 1.5

длина канала

NMOS/PMOS, мкм                   0.6/0.6

N и P  LDD- стоки

ПКК резистор

Конденсаторы ПКК1 – ПКК2

Конденсаторный диэлектрик СТО, Å  300

Силицид

контакты 1 (заполнены W), мкм       0.6

Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм       1,05

металл I, 2                        Ti/AlCu / Ti /TiN

шаг по металлу 1, мкм                    1.6

шаг по металлу 2, мкм                    1.7

металл 3                                  /Ti/AlCu

контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.7

шаг по металлу 3, мкм                    2.2
5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм ЭСППЗУ средней степени интеграции
с Епит от 2,4 В до 6 В

NMOS: Vtn=(0,65±0,25)В

Usd >=12 В

PMOS: Vtр=-(0,8±0,2)В    Usd <=-12 В

HV-NMOS: Vtn=(0,45±0,15)В Usd317В

HV-PMOS: Vtp=-(0,8±0,2)В Usd <=-16 В
Количество фотолитографий, шт.     17

Проектная норма, мкм                      1.6

Подложка: КДБ-12                  2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                5/6

Подзатворный SiO2, Å                      425

Туннельный SiO2, Å                            77

Межсл. диэлектрик-1: Si3N4, Å         350

Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å       7000

Встроенные транзисторы

Длина канала: NMOS/PMOS

низковольтные транзисторы, мкм      2.4

высоковольтные транзисторы, мкм    3.6

шаг ПКК1, мкм                                      3.2

шаг ПКК2, мкм                                      4.2

контакты, мкм                                    ø1.2

шаг по металлу, мкм                            4.4
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В
NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В
PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В
Количество фотолитографий, шт.        14

Проектная норма, мкм                        1.5

Подложка:                                      КЭФ4.5

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/5

Межслойный диэлектрик:               БФСС

Межуровневый диэлектрик:               ПХО

Подзатворный SiO2, Å                        245

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0

N LDD- стоки

шаг ПКК,мкм                                       3.4

контакты 1, мкм                           1.5*4.5

шаг металл 1, мкм                              6.0

контакты 2, мкм                            3.0*4.5

шаг металл 2, мкм                              9.5
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм ИС для телефонии, заказные ИС
с Eпит. от 3 В до 5 В

 NMOS: 

Vtn=0.6 В, Usd >10 В

PMOS: 

Vtр=-0.7 В, Usd >10 B
Кол-во фотолитографий, шт.        14 (16)

Проектная норма, мкм                        0.8

Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12, 2 кармана

Глубина N/ P карманов, мкм               4/4

Межслойный диэлектрик:   БФСС

Подзатворный SiO2, Å               130 / 160

длина канала NMOS/PMOS, мкм   0.9/1.0

N и P LDD- стоки

металл I                             Ti-TiN/Al-Si/TiN

шаг ПКК, мкм                                       1.9

контакты 1, мкм                                ø 0.9

шаг по металлу 1, мкм                        2.2

металл 2                                      Al-Si/TiN

контакты 2, мкм                                ø 0.9

шаг по металлу 2, мкм                        2.4
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 200 мм ИМС для телефонии, заказные ИМС
с  Uпит от 3 до 5 В

 NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >10 В

PMOS: Vtр=-0.7 В, Usd >10 B
Кол-во фотолитографий, шт.    14 (16)

Проектная норма, мкм                  0.8

Подложка:           КЭФ4.5 или КДБ12

2 кармана

Глубина N/ P карманов, мкм          4/4

Межслойный диэлектрик:

SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм       1,05

Подзатворный SiO2, Å           130 / 160

длина канала

NMOS/PMOS, мкм                     0.9/1.0

N и P  LDD- стоки

металл I                         Ti/AlCu / Ti /TiN

шаг ПКК, мкм                                     1.9

контакты 1 (заполнены W), мкм       0.7

шаг по металлу 1, мкм                     2.2

металл 2                                  /Ti/AlCu

контакты 2 (заполнены W), мкм ø    0.7

шаг по металлу 2, мкм                     2.4
15 В,5.0 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл, несамосовмещенный затвор Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 20В.
NMOS: Vtn= 1.1 B, Usd >27 В
PMOS: Vtp= -1.0 B, Usd>29 В
Количество фотолитографий, шт.        9

Проектная норма, мкм                        5,0

Подложка:                    460 КЭФ4.5 (100)

Глубина  P-кармана, мкм                    10

Подзатворный SiO2, Å                        950

Межслойный диэлектрик              СTФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм       5/6

шаг ПКК, мкм                                      5.5

контакты, мкм                                     ø 2

шаг по металлу, мкм                              8
1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме КМОП БМК

NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В

PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В
Количество фотолитографий, шт.        11

Проектные нормы, мкм                       1.2

Подложка:                                       КДБ12

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

Подзатворный SiO2, Å                 250-300

Межслойный диэлектрик: БФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм   1.4/1.6

шаг ПКК, мкм                                      2.8

контакты, мкм                                1.6х1.6

шаг металл 1, мкм                               3.4

шаг металл 2, мкм                               3.0
5 В, 1.5 мкм КМОП,1 ПКК, 1 Металл, ПКК- резисторы пл. 150 мм Схемы контроллеров напряжения питания

NMOS:

Vtn= 0.5 B , Usd >10 В

PMOS:

Vtp= 0.5 B, Usd >10 В
Количество фотолитографий, шт.        17

Проектная норма, мкм                        1.5

Подложка:                    КДБ12, 2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

ПKK резисторы Р-типа

Биполярный вертикальный NPNтранзистор

Подзатворный SiO2, Å                        250

Межслойный диэлектрик:               БФСС

длина канала NMOS/PMOS, мкм         1.7

N и P LDD- стоки

шаг ПКК, мкм                                        2.5

контакты, мкм                                   ø 1.3

шаг по металлу, мкм                            3.5
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм Цифровые ИМС. микроконтроллеры
 с Епит=5 В

NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В

PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B
Количество фотолитографий, шт.        16

Проектная норма, мкм                        1.5

Подложка:        КДБ12,   2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

Межслойный диэлектрик:        БФСС

Подзатворный SiO2, Å                        250

Межслойный диэлектрик:        БФСС

Встроенные транзисторы в ПЗУ

Скрытые контакты

длина канала NMOS/PMOS, мкм        1.5

N и P LDD- стоки

шаг ПКК, мкм                                       2.5

контакты, мкм                                   ø 1.5

шаг по металлу, мкм                           3.5
1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор Часовые ИС
малой и средней степени интеграции
с Еп до 1.5В.

NMOS:

Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА

PMOS:

Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА
Количество фотолитографий, шт.          9

Проектные нормы, мкм             3,0 – 5,0

Подложка:                                      КЭФ4.5

Глубина P-кармана, мкм                    6-8

Подзатворный SiO2, Å                        800

Межслойный диэлектрик              СTФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм          3

шаг ПКК, мкм                                         10

контакты, мкм                                         5

шаг по металлу, мкм                             12
5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл Логические ИС
малой и средней степени интеграции
с Еп до 5 В

NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В

PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В
Количество фотолитографий, шт.        11

Проектные нормы, мкм                       2.0

Подложка:                                     КЭФ 4.5

Глубина N/P-кармана, мкм                  6-8

Подзатворный SiO2, Å                 425/300

Межслойный диэлектрик:               БФСС

Длина канала:NMOS/PMOS, мкм       3-4

шаг ПКК, мкм                                        10

контакты, мкм                                     4*4

шаг металл, мкм                                  10
1.2 мкм КМОП ППЗУ, 2ПКК, 2Ме,Пережигаемая перемычка КМОП БМК

NMOS: Vtn=1.0B, Ic>10мА. Uпр>12 В

PMOS: Vtp= 1.0B, Ic>4.0мА, Uпр>12В
Количество фотолитографий, шт.      11

Проектные нормы, мкм                    1.2

Подложка:                                  КДБ12

Глубина N/P-кармана, мкм               5/6

Подзатворный SiO2, Å              250-300

Межслойный диэлектрик:             БФСС

Длина канала:NMOS/PMOS, мкм       2.0

контакты, мкм                              2.0х2.0

шаг металл 1, мкм                                8

шаг металл 2, мкм                              10
1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм Цифровые ИМС
средней степени интеграции
для ЭНЧ и микрокалькуляторов 

Eпит от 1.5 В до 3 В.

 NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В

PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В
Количество фотолитографий, шт.       11

Проектная норма, мкм                        1.6

Подложка:            КДБ12, 2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

Подзатворный SiO2, Å                        300

Межслойный диэлектрик                БФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм      2.0

шаг ПКК, мкм                                       3.2

контакты, мкм                                   ø 1.5

шаг металла, мкм                                3.6
5 В, 2 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В.
NMOS:
Vtn= 0.6/0.5 B , Usd >12 В
PMOS:
Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >14 В
Количество фотолитографий, шт.        11

Проектная норма, мкм                        2.0

Подложка:         КЭФ 4.5,  2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                 6/7

Подзатворный SiO2, Å                 425/300

Межслойный диэлектрик:               БФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм       2.5

шаг ПКК, мкм                                        4.5

контакты, мкм                                2.4*2.4

шаг металл, мкм                                  8.5

Задать вопрос