Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

2Е802А-5

  • Прототип: IRG4DC30
  • Тип корпуса: б/к
  • Iкэк, мА: 0,25
  • Iк max, мА: 23
  • Рк max, Вт: 50
  • Uэб max, В: ±20
  • Uкэ max, В: 600
  • Uкэ нас, В: 2,7