RU
CN
BY
EN
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
|
Обозначение | Прототип | Тип корпуса | Iкэк, мА | Iк max, мА | Рк max, Вт | Uэб max, В | Uкэ max, В | Uкэ нас, В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2Е802А-5 | IRG4DC30 | б/к | 0,25 | 23 | 50 | ±20 | 600 | 2,7 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||