Полупроводниковые приборы

Выбрать параметры

	Обозначение	Прототип	Тип корпуса	Диапазон температур	Iпр.макс , А	I обр., мА	Схема соединения	t обр.вос., нс (max)	Uобр. макс, В	Uпр., В (при Iпр., А)
	КД645Б		КТ-28-1	-25 +100 °С	8	100	-	160	600	1,4
КД645Б Характеристики Документация Тех. поддержка
	КД645А	MUR860	КТ-28-1	-25 +100 °С	8	100	-	60	600	1,65
КД645А Характеристики Документация Тех. поддержка
	КД642АС	10JTF20	КТ-28-2	-60 +100 °С	2 x 10,0	100	Общий анод	50	200	1,2
КД642АС Характеристики Документация Тех. поддержка
	КД638АС1	BYV16-200T	КТ-90	-60 +100 °С	2 x 8,0	5	Общий катод	35	200	1,25
КД638АС1 Характеристики Документация Тех. поддержка
	КД638АС	BYV16-200T	КТ-28-2	-60 +100 °С	2 x 8,0	5	Общий катод	35	200	1,25
КД638АС Характеристики Документация Тех. поддержка

Мощные диоды и матрицы