Мощные диоды и матрицы
КД645Б
- Тип корпуса: КТ-28-1
- Диапазон температур: -25 +100 °С
- Iпр.макс , А: 8
- I обр., мА: 100
- Схема соединения: -
- t обр.вос., нс (max): 160
- Uпр., В (при Iпр., А): 1,4
- Uобр. макс, В: 600
КД645А
- Прототип: MUR860
- Тип корпуса: КТ-28-1
- Диапазон температур: -25 +100 °С
- Iпр.макс , А: 8
- I обр., мА: 100
- Схема соединения: -
- t обр.вос., нс (max): 60
- Uпр., В (при Iпр., А): 1,65
- Uобр. макс, В: 600
КД642АС
- Прототип: 10JTF20
- Тип корпуса: КТ-28-2
- Диапазон температур: -60 +100 °С
- Iпр.макс , А: 2 x 10,0
- I обр., мА: 100
- Схема соединения: Общий анод
- t обр.вос., нс (max): 50
- Uпр., В (при Iпр., А): 1,2
- Uобр. макс, В: 200
КД638АС1
- Прототип: BYV16-200T
- Тип корпуса: КТ-90
- Диапазон температур: -60 +100 °С
- Iпр.макс , А: 2 x 8,0
- I обр., мА: 5
- Схема соединения: Общий катод
- t обр.вос., нс (max): 35
- Uпр., В (при Iпр., А): 1,25
- Uобр. макс, В: 200
КД638АС
- Прототип: BYV16-200T
- Тип корпуса: КТ-28-2
- Диапазон температур: -60 +100 °С
- Iпр.макс , А: 2 x 8,0
- I обр., мА: 5
- Схема соединения: Общий катод
- t обр.вос., нс (max): 35
- Uпр., В (при Iпр., А): 1,25
- Uобр. макс, В: 200