Запоминающие устройства Серии 541; 537; 1632; 1675РТ014; 1676РТ015; 1623; 1617; 1635; 1644; 1642; 1669; 9000; 1835PE2Т; 9001РТ1У; 1659РУ1Т; 1666РЕ014

Запоминающие устройства Серии 541; 537; 1632; 1675РТ014; 1676РТ015; 1623; 1617; 1635; 1644; 1642; 1669; 9000; 1835PE2Т; 9001РТ1У; 1659РУ1Т; 1666РЕ014


* - разработка

1676РТ015*

  • Прототип: AM27C040-150DE
  • Функциональное назначение: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 4Мбит (512К×8 бит)
  • Тип корпуса: 5134.64-6

1675РТ014

  • Прототип: 1675РТ014
  • Функциональное назначение: Постоянное запоминающее устройство информационной емкостью 1Мбит (128К×8 бит) с возможностью однократного программирования, UCC = 3,0В ÷ 3,6В
  • Тип корпуса: 4149.36-1
  • Диапазон температур: от -60°С до + 125°С;
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 60
  • Напряжение питания, В: 3,3B±10%
  • UUcc,В: 0,8

9000РУ6У

  • Прототип: CY7C1051D
  • Функциональное назначение: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (512К х16 бит)
  • Тип корпуса: 5134.64-6

9000РУ5У

  • Прототип: -
  • Функциональное назначение: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (256К х 32 бит)
  • Тип корпуса: 5134.64-6

9000РУ4У

  • Прототип: ACT-S512K32
  • Функциональное назначение: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 16Мбит (512К x 32 бит)
  • Тип корпуса: 5134.64-6

9000РУ3У

  • Прототип: ACT-S128K32
  • Функциональное назначение: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К х 32 бит)
  • Тип корпуса: Н18.64-3В

9000РУ2У

  • Прототип: ACT-S512K8
  • Функциональное назначение: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К х 8 бит)
  • Тип корпуса: Н18.64-3В

9000РУ1У

  • Прототип: CY7C1041D
  • Функциональное назначение: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К х 16 бит)
  • Тип корпуса: Н18.64-3В

1669РА035

  • Прототип: ACT-S512K8
  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К x 8 бит)
  • Тип корпуса: 5134.64-6

1669РА025

  • Прототип: CY7C1041D
  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К x 16 бит)
  • Тип корпуса: 5134.64-6

1669РА015

  • Прототип: ACT-S128K32
  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К x 32 бит)
  • Тип корпуса: 5134.64-6

Б1623РТ1-4

  • Функциональное назначение: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит)
  • Тип корпуса: Кристалл
     

Б541РУ2-4

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1024 х 4 бит)
  • Тип корпуса: Кристалл

Б541РУ1-4

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4096 х 1 бит)
  • Тип корпуса: Кристалл

Б541РТ2-4

  • Функциональное назначение: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 16Кбит (2048 х 8 бит)
  • Тип корпуса: Кристалл

Б541РТ1-4

  • Функциональное назначение: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 1Кбит (256 х 4 бит)
  • Тип корпуса: Кристалл

1623PT2Б

  • Функциональное назначение: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит)
  • Тип корпуса: 4119.28-6
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 8192 х 8
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50

1623РТ2А

  • Прототип: HM6664
  • Функциональное назначение: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит)
  • Тип корпуса: 4119.28-6
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 8192 х 8
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50

М1623РТ1Б

  • Функциональное назначение: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит)
  • Тип корпуса: 210Б.24-1
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04

M1623PT1A

  • Прототип: HM6616
  • Функциональное назначение: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит)
  • Тип корпуса: 210Б.24-1
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04

537РУ14Б

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тип корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 35

537РУ14А

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тип корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 35

537РУ13

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит)
  • Тип корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 1024 х 4
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 60

537РУ3Б

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тип корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 20

537РУ3A

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тип корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 20

1617РУ14Б

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тип корпуса: 427.18-1.02
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 55

1617РУ14А

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К х 1 бит)
  • Тип корпуса: 427.18-1.02
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 55

1617РУ13Б

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит)
  • Тип корпуса: 427.18-1.02
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 1024 х 4
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 55

1617РУ13A

  • Функциональное назначение: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит)
  • Тип корпуса: 427.18-1.02
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 1024 х 4
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 55

1666РЕ014

  • Функциональное назначение: Энергонезависимое оперативное запоминающее устройство (FRAM) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8) бит
  • Тип корпуса: 4184.32-1