20 февраля 2018

Изобретения, топологии, полезные модели – объекты интеллектуальной собственности. За четвертый квартал 2017 года и январь 2018-го поданы заявки на регистрацию топологий ИМС, изобретение, получен ряд охранных грамот, подтверждающих право на объекты интеллектуальной собственности.  

В конце 2017 года подана заявка на изобретение «Состав для селективного травления диоксида кремния». Также в Национальный центр интеллектуальной собственности (РБ) и Федеральный институт промышленной собственности (РФ) подано 18 заявок на регистрацию ТИМС. Разработки топологий интегральных микросхем выполнены в рамках ОКР «Визирь, -1,-2» и «Дот-1541».

За четвертый квартал 2017 года Национальным центром интеллектуальной собственности предприятию выданы два патента на изобретения и два – на полезную модель. Получено свидетельство о регистрации топологии ИМС.

«Способ удаления пленки нитрида кремния с поверхности полупроводниковой пластины» (патент № 21368) – изобретение, относящееся к электронной технике. Применимо при химическом удалении с поверхности пластин маскирующих пленок нитрида кремния: исключает остатки невытравленной пленки в местах соприкосновения пластины с пазами операционной кассеты и повышает процент выхода годных.

Патент № 21442 выдан на изобретение «Способ изготовления интегральных микросхем по МОП-технологии», которое относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания интегральных микросхем различного применения, содержащих n-МОП- и р-МОП-транзисторы. Решает задачи повышения термополевой стабильности транзисторов и увеличения выхода годных ИМС.

Патенты №№ 11541 и 11542 – на полезные модели полупроводниковых кремниевых пластин ориентаций (111) и (001) для изготовления шумовых диодов. Полезные модели относятся к области электронной техники. Их задача – повышение выхода годных приборов за счет стабилизации дислокационной структуры в кремниевых пластинах. Сущность технических решений – в оптимизации дефектообразования в кремнии за счет управления направлениями роста дислокаций.

Свидетельство о государственной регистрации № 2017630172 получено на топологию интегральной микросхемы «Выходной высоковольтный ключ в составе интегральной микросхемы понижающего импульсного регулятора напряжения с синхронным выпрямлением».

В январе 2018-го получено пять патентов на изобретения: четыре – Национального центра интеллектуальной собственности Беларуси и один – Евразийского патентного ведомства.

Изобретение «Способ формирования контактных окон в интегральной микросхеме» (патент № 21515) относится к области микроэлектроники и может использоваться в технологии производства кремниевых ИМС. Его задача – повышение процента выхода годных. Способ удаления пленки нитрида кремния с поверхности полупроводниковой пластины (патент № 21513) относится к электронной технике. Изобретение решает задачи исключения остатков нитрида кремния, снижения подтрава диоксида кремния и за счет этого – увеличения процента выхода годных ИМС.

Патент № 21488 выдан на изобретение «Способ захвата кремниевых пластин для загрузки и выгрузки». Оно относится к электронной технике, а более конкретно – к процессам, включающим манипуляции с полупроводниковыми пластинами с использованием вакуумных захватов. Задача изобретения – предотвратить механическое и ионное загрязнение поверхности кремниевых пластин при загрузке и выгрузке.

«Способ формирования структур интегральных микросхем со слоями силицида титана» (патент № 21468) – изобретение, которое относится к области технологии изготовления кремниевых интегральных микросхем. Данный способ позволяет существенно снизить разбросы удельного сопротивления слоев силицида титана и увеличить процент выхода годных.

Евразийский патент № 028691 получен холдингом на изобретение «Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов». Оно решает задачи повышения качества металлизации, выхода годных по герметичности паяных металлокерамических узлов, снижения энергопотребления и расходов газа.