Всегда в поиске

Вы здесь

26 марта 2021

Патенты, свидетельства о регистрации топологий – документы, подтверждающие научный потенциал холдинга, интеллектуальный уровень его сотрудников, активный поиск новых решений в области технологий.

Специалисты холдинга «Интеграл» постоянно совершенствуют изделия и техпроцессы, создают новую продукцию. И закрепляют права  на результаты интеллектуальной деятельности. За первых два месяца 2021 года уже получены четыре свидетельства о регистрации топологий интегральных микросхем и два патента на изобретения.

Свидетельство № 258 выдано Национальным центром интеллектуальной собственности на топологию «IZ1117S-1.5 Микросхема 1А стабилизатора напряжения положительной полярности 1,5 В». Авторами ТИМС являются сотрудники филиала НТЦ «Белмикросистемы»: ведущий инженер Наталья Кособуцкая, инженер I категории Игорь Кособуцкий (отделение «А») и ведущий конструктор Виталий Зайцев (отделение «Т»).

Свидетельство № 260 выдано на ТИМС «5324ЕР015 Микросхема мощного регулируемого стабилизатора напряжения положительной полярности с Uоп = 1,25 В». Авторы те же и начальник отделения «А» Виктор Козловский.

Зарегистрирована топология «IZ431SF Микросхема высокочастотного высокоточного регулируемого стабилитрона с опорным напряжением 2,495 В» (свидетельство № 259). В числе авторов также Наталья Кособуцкая, Игорь Кособуцкий и ведущий конструктор отделения «Т» Игорь Малый.

Четвертое свидетельство (№ 261) выдано на ТИМС «IZC6990 Микросхема управляемого напряжением прецизионного генератора». В коллективе авторов сотрудники отделения «А»: ведущие инженеры Александр Ярохович, Валентина Мурашко, Валентина Стрельцова, Светлана Хохолко, инженер I категории Инесса Павловская. А также ведущий конструктор отделения «Т» Александр Ярмолик.

Патент Республики Беларусь № 23206 получен на изобретение «Способ уменьшения плотности поверхностного заряда тонкого слоя диоксида кремния при изготовлении интегральной схемы». Оно относится к электронной технике. В основу положена задача уменьшения плотности поверхностного заряда тонкого слоя диоксида кремния при изготовлении интегральной схемы и увеличения выхода годных интегральных схем с МОП-транзисторами.

Патент РБ № 23207 выдан на изобретение «Способ изготовления интегральной схемы на МОП-транзисторах». Изобретение также относится к электронной технике. Решает задачи по уменьшению тока утечки затвора, повышению пробивного напряжения подзатворного окисла, увеличению выхода годных интегральных схем с МОП-транзисторами.

В числе авторов этих двух изобретений – заместитель директора ГЦ «Белмикроанализ» Владимир Пилипенко, заместитель директора филиала «Транзистор» по техническим вопросам Ярослав Соловьев, ведущий инженер-технолог управления главного технолога Олег Сарычев.

© 1998-2021, Холдинг "ИНТЕГРАЛ"
Всегда в поиске | Интеграл

Ошибка

На сайте произошла непредвиденная ошибка. Пожалуйста, повторите попытку позже.