5325КХ014*

Функциональное назначение: 
Разработка ИМС высоковольтного двойного драйвера для управления MOSFEТ транзисторами (ADP3650, Analog Devices)
Основные характеристики: 

ИС высоковольтного двойного драйвера по схеме полумост для управления двумя N-канальными MOSFET транзисторами:

  • напряжение питания: UCC = 4,15В ¸ 13,2В;
  • ток потребления при UCC = 12В, UBST = 12В, UIN = 0 В – не более 4,5мА;
  • пороговое напряжение при возрастании напряжения питания – 1,6В ÷ 2,8В;
  • выходное сопротивление на выводе DRVH (DRVL) в состоянии высокого уровня при UCC = 12В, UBST = 12В, USW = 0 В – не более 2,9 Ом;
  • выходное сопротивление на выводе DRVH (DRVL) в состоянии низкого уровня при  UCC = 12В, UBST = 12В, USW = 0 В – не более 2,0 Ом;
  • рабочий температурный диапазон – от минус 60°С до плюс 125°С;
  • корпус – 4112.8-1.01

Стойкость к СВВФ: 7.И1 - 2Ус, 7.И6 - 2Ус, 7.И7 - 0,5×1Ус, 7.С1 - 1Ус, 7.С4 - 0,09×1Ус, 7.К1 - 2К, 7.К4 - 1К, 7.К11(7.К12) – не менее 40 МэВ×см2/мг

АЕНВ.431160.486-01 ТУ

Тип корпуса / Кол-во площадок: 

4112.8-1.01