| Обозначение | Характеристика процесса | Применение, элементная база | ||
|---|---|---|---|---|
| Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм | Кол-во фотолитографий, шт. 8
Средняя проектная норма, мкм 2.0
Подложка: КЭС 0,015 / КЭМ 0,003
эпитаксиальный слой:
толщина – (8-75) мкм
удельное сопротивление – (0,67-31,5)
Ом*см
подзатворный окисел (60-100) нм
Межслойный диэлектрик – СТО + БФСС
Пассивация ПХО+ПХ SI3N4
|
MOSFET
NMOS: Vtn=2÷4 В
Uмакс= 60÷900 В |
||
| Полевые N ДМОП транзисторы | Кол-во фотолитографий, шт. 7-9
Средняя проектная норма, мкм 3.0
Подложка: КЭС 0,01
эпитаксиальный слой:
толщина 9-42 мкм
удельное сопротивление – (0,7-16) Омxсм
подзатворный окисел, нм 42,5-80
Межслойный диэлектрик – СТФСС
Пассивация: НТФСС |
MOSFET
Маломощные Мощные
Vtn=0,6–3,0 В Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–200 В Uпр= 50–600В Pmax=1,0 Вт Pmax=200 Вт
|
||
| Полевые Р ДМОП транзисторы | Кол-во фотолитографий, шт. 7-9
Средняя проектная норма, мкм 3.0
Подложка: КДБ 0,005
эпитаксиальный слой:
толщина 15–34 мкм
удельное сопротивление – (2-21) Ом x см
подзатворный окисел, нм 42,5-80
Межслойный диэлектрик – СТФСС |
MOSFET
Маломощные Мощные
Vtn=0,8–2,0 В Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–240 В Uпр= 60–100В Pmax=1,0 Вт Pmax=150 Вт
|
