Технология изготовления тиристоров, триаков

Характеристика процесса: 

Подложка                                                        КОФ35,
10 фотолитографий (контактная, двухсторонняя)
База: диффузия бора,
глубина, мкм                                                     35-45
Катод: диффузия фосфора, 
глубина, мкм                                                     15-18
Защита p-n переходов: SiPOS, Si3N4, СТФСС
Металлизация:Al 2,0 мкм
Пассивация:  НТФСС, Si3N4, 
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag

Применение, элементная база: 

Iос=2,0 А
Uпроб=(600-800) В