Диоды Шоттки с Мо барьером

Характеристика процесса: 

Количество фотолитографий, шт.              4
размер мм        1                   0. 76х0.76 - 4х4
Подложка:                     460КЭМ0.0035 (111)
Эпитаксиальный слой:      4.5КЭФ(0.6-0.8)
Изоляция:   p-n переход с полевым окислом
Металлизация  Аl + Mo-Ti-Ni-Ag

Применение, элементная база: 

Кремниевые быстро действующие 
диоды для импульсных 
источников питания.
U обр.В        40 – 150
I обр.мка     < 250
Iпр. мах. А    1 - 30