Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А

Характеристика процесса: 

Эпитаксиальная структура 
Подложка                                      КДБ 0,05 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм    25-28
Удельное сопротивление, Ом x см             8-11
7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм                                                4,5-7,5
Эмиттер: диффузия бора, 
глубина, мкм                                                1,4-2,5
Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
Металлизация: Al  4,0  мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag

Применение, элементная база: 

Uкб=(80-160) B
Uкэ=(30-90) В
Iк=(7,5-16) А
h21э>15