Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с областью рабочих напряжений (200-300) В

Характеристика процесса: 

Эпитаксиальная структура 
Подложка                                      КДБ 0,03 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм    40-45
Удельное сопротивление, Ом x см         40-50
7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм                                                   3-5,5
Эмиттер: диффузия бора
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Sn-Pb-Sn

Применение, элементная база: 

Uкб=(250-300) B
Uкэ=(200-250) В
Iк=(0,4-0,5) А
h21э>40