Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (300-700)В

Характеристика процесса: 

Эпитаксиальная структура 
Подложка:                                     КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм     50-80
Удельное сопротивление, Ом-см            40-50 
7-8 фотолитографий (контактная)
База:  ионная имплантация,
Глубина, мкм                                                2,8-4,6
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм                                                 1,4-2,8
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4; 4,5  мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Пассивация: ТФСС

Применение, элементная база: 

Uкб=(300-700) B
Uкэ=(300-400) В
Iк=(0,5-8,0) А
h21э=(8-40)