Биполярная технология изготовления мощных pnp-транзисторов Дарлингтона

Характеристика процесса: 

Эпитаксиальная структура 
Подложка                                          КДБ 0,05 (111):
Толщина слоя, мкм                                         25-33
Удельное сопротивление, Ом x см               10-18 
6,7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм                                                          6-8
Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм  2,5-5,5
Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
Металлизация: Al  4,5 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag

Применение, элементная база: 

Uкб=(60-70) B
Uкэ=(60-70) В
Iк=(2,0-12) А
h21э>500