Биполярная технология из готовления мощных npn-транзисторов Дарлингтона

Характеристика процесса: 

Эпитаксиальная структура 
Подложка                              КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм  27-38
Удельное сопротивление,  Ом x см          8-21 
6-7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация,
глубина, мкм                                             6-8
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм                                       2,5-5,5
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 4,5  мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Пассивация:  НТФСС

Применение, элементная база: 

Uкб=(330-350) B
Uкэ=(150-350) В
Iк=(5-15) А
h21э>100