5 В «Изопланар – 1» “BpI-30-5”

Характеристика процесса: 

Количество фотолитографий, шт             15
Средняя проектная норма, мкм           3.0
Подложка:                            460КДБ10 (111)
Скрытые слои:       2,5КЭС35/1,95КДБ210
Эпитаксиальный слой:              1.5КЭФ0.3
Изоляция: LOCOS + p+ - охранные кольца
Глубина p-базы, мкм                           0.854
Глубина N+эмиттера, мкм                   0.55
Размер эмиттера, мкм                           2*3
Расстояние между 
транзисторами, мкм                                   2
Коммутация:
контакты 1, мкм                                       2*3
шаг 1 металл, мкм                                   6.5
контакты 2, мкм                                      4*4
шаг 2 металл, мкм                                10.0

Применение, элементная база: 

Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В

Вертикальный NPN транзистор:
Вп=100 Uсе=8 В
Горизонтальный PNP транзистор:
Вр=25 Uce=20 В

Резисторы в слое: База