20 В с изоляцией p-n переходом

Характеристика процесса: 

Количество фотолитографий, шт.                                     13
Средняя проектная норма, мкм                                     6.0
Подложка:                                                      460КДБ10 (111)
Скрытые слои:                                        5КЭС17/1.6КДБ510
Эпитаксиальный слой:                                        10КЭФ1,25
Изоляция:                                                              p-n переход
Глубина p-базы, мкм                                                           2.4
Глубина N+эмиттера, мкм                                                 1.7
Размер эмиттера, мкм                                                           6
Расстояние между транзисторами, мкм                           6
Коммутация: контакты 1, мкм                                              4
шаг 1 металл, мкм                                                              13.0
контакты 2, мкм                                                                    4*4
шаг 2 металл, мкм                                                              12.0

Применение, элементная база: 

Цифроаналоговые ИС малой и средней

степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
I2L вентиль
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.