20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”

Характеристика процесса: 

Количество 
фотолитографий, шт.                       12-14
Средняя проектная норма, мкм      6.0
Подложка:                       460КДБ10 (111)
Скрытые слои:  6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:            8КЭФ1.5
Изоляция:                 p-n переход
Глубина p-базы, мкм                           2.0
Глубина N+эмиттера, мкм                 1.7
Размер эмиттера, мкм                        7*7
Расстояние между
транзисторами, мкм                                4
Коммутация:
контакты 1, мкм                                    3*3
шаг 1 металл, мкм                                9.0
контакты 2, мкм                                    4*4
шаг 2 металл, мкм                              12.0

Применение, элементная база: 

Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В

Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=27 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=30 Uсе=35 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=45 Uсе=35 В
Вертикальный РNP с изолированным коллектором:
Вр=80 Uсе=30 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.