15 В с изоляцией p-n переходом

Характеристика процесса: 

Количество фотолитографий, шт                               10-13
Средняя проектная норма, мкм                                    6.0
Подложка:                                                     460КДБ10 (111)
Скрытые слои:                                     6КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:                                           8КЭФ4.5
Изоляция:                                                             p-n переход
Глубина p-базы, мкм                                                          2.4
Глубина N+эмиттера, мкм                                                1.7
Размер эмиттера, мкм                                                          6
Расстояние между транзисторами, мкм                          6
Коммутация:  контакты 1, мкм                                             4
шаг 1 металл, мкм                                                                13

Применение, элементная база: 

Цифроаналоговые ИС малой и

средней степени интеграциис Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Конденсатор: Ме-n+эмиттер.
Резисторы в слое ПКК.