| Обозначение | Характеристика процесса | Применение, элементная база | ||
|---|---|---|---|---|
| БиКДМОП 48 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл | Кол-во фотолитографий, шт. 16
Средняя проектная норма, мкм 3.0
Подложка: 460КДБ12 (100)
Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0
Эпитаксиальный слой 12КЭФ1.5
Изоляция: p-n переход
Глубина P-кармана, мкм 5.0
Подзатворный SiO2, Å 750
Межслойный диэлектрик -
СТ ФСС, мкм 0,8
|
ИС исполнительных устройств силовой электроники
Вертикальный NPN:
h21э=25-90 Uсе=20-70 В
Горизонтальный PNP:
h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В
NДMOП: Vtn=1.8-2.6В, Usd=60-100 В
PMOП низковольтный:
Vtp=0.8-1.4 B, Usd =20-35 В
PMOП высоковольтный:
Vtp=1.2-2.2 B , Usd =30-80 В
NMOП транзистор:
Vtn=1.1-1.7 B , Usd =15-25 В |
||
| БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл | Кол-во фотолитографий, шт. 15
Средняя проектная норма, мкм 3.0
Подложка: 460КДБ60 (100)
Изоляция: p-n переход
Глубина базы NДMOП, мкм 2.5
Подзатворный SiO2, Å 750
Межслойный диэлектрик -
СТ ФСС, мкм 0,8
|
ИМС управления импульсным источником питания
Низковольтный NPN:
h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В
Горизонтальный PNP:
h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В
NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd ³30 В
PMOП низковольтный:
Vtp=0.8-2.0 B, Usd ³18 В
PMOП высоковольтный:
Vtp=0.8-2.0 B , Usd ³22 В
NMOП низковольтный:
Vtn=0.8-2.0 B , Usd ³18 В
NMOП высоковольтный:
Vtn=0.8-2.0 B , Usd ³600 В |
||
| 90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы | Кол-во фотолитографий, шт. 19 Средняя проектная норма, мкм 4.0
Подложка: 460КДБ12 (100)
Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0
Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5
Изоляция: p-n переход
Глубина P-кармана, мкм 6.5
Глубина базы NДMOП, мкм 2.5
Подзатворный SiO2, Å 750
Глубина p-базы NPN, мкм 2.5
Глубина N+эмиттера, мкм 0.5
Межслойный диэлектрик -
БФСС, мкм 0,8
Длина канала по затвору:
N/PMOП, мкм ø 4
шаг ПКК, мкм 7
контакты, мкм 2
шаг по металлу, мкм 8
|
Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В
Вертикальный NPN:
Вп=50 Uсе=20 В
Горизонтальный PNP:
Вр=25 Uсе=20 В
LNДMOП: Vtn= 2.0 B, Usd >90 В
LPДMOП: Vtp= -1.4 B, Usd >90 В
NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В
PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В
VNДMOП: Vtn= 2.0 B,
Usd >70 В
Резисторы в слое:
База NДMOП, Р-сток, ПКК.
Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å)
ПКК-Al (SiO2 8000 Å) |
||
| БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы | Кол-во фотолитографий, шт. 15
Средняя проектная норма, мкм 2.8
Подложка: КДБ 80
Изоляция: LOCOS
Глубина P-кармана, мкм 6.5
Глубина N-кармана, мкм 4.5
Глубина базы NДMOП, мкм 2.4
Подзатворный SiO2, Å 600
Межслойный диэлектрик -
СТФСС, мкм 0,6
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0
контакты, мкм 2.0х2.0
шаг металл 1, мкм 8
шаг металл 2, мкм 10
|
Низковольтные транзисторы
NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В
PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В
NPN: h21э = 100-300
Резисторы в слое:
ПКК 1 = 20-30 Ом/кв.
Высоковольтные транзисторы
NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В
PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В
|
