27 августа 2020

Патент на изобретение № 23037 выдан Национальным центром интеллектуальной собственности на «Способ изготовления диода Шоттки». Авторы - генеральный директор холдинга Виталий Солодуха, заместитель директора ГЦ «Белмикроанализ» Владимир Пилипенко, заместитель директора филиала «Транзистор» по техническим вопросам Ярослав Соловьев, ведущий инженер-технолог управления главного технолога Олег Сарычев.
Изобретение относится к технологии изготовления мощных диодов Шоттки. В его основу положена задача уменьшения обратного тока и повышения выхода годных.
При формировании силицида платины твердофазной реакцией барьерного слоя платины с кремниевой подложкой стационарной термической обработкой процесс силицидообразования частично блокируется процессом диффузии кислорода в платину. Это приводит к неполному переходу слоя платины в силицид и обусловливает неоднородность свойств барьерного слоя. В частности, значительно увеличивается микрорельеф поверхности силицида и его границ раздела с кремнием, а также размер зерен силицида платины. Быстрая термообработка слоя платины толщиной порядка 45 нм при температуре 540-560 0С в течение 5-10 секунд обеспечивает в 1,75 раза меньший микрорельеф на границе раздела силицида платины с кремнием. При этом размер зерен меньше в 2 раза и характеризуется меньшим разбросом по площади пластин. Кроме того, микрорельеф поверхности силицида значительно менее развит. Указанные улучшения обусловливают уменьшение обратно тока и рост выхода годных диодов Шоттки.
Также подана заявка на патент на изобретение «Способ формирования поликремниевых резисторов в составе биполярных или МОП-интегральных схем». Авторы – заместитель директора филиала «Транзистор» по техническим вопросам Ярослав Соловьев, ведущий инженер-технолог Татьяна Желнерчик и заместитель начальника производства № 3 Галина Ульчиц.