ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» имеет оборудование, которые позволяет изготавливать эпитаксиальные структуры для различных применений.
Мы можем изготавливать эпитаксиальные структуры как на собственных пластинах, так и на пластинах заказчика.
По заказу потребителя возможно наращивание эпитаксиальных слоев кремния на пластинах со скрытыми слоями (ионно-легированные и диффузионные структуры).
| Параметр, единица измерения | Значение |
|---|---|
| Диаметр подложки, мм | 100, 150 |
| Ориентация | (111), (100) |
| Легирующая примесь подложки | Сурьма, Бор |
| Толщина эпитаксиального слоя, мкм | 3,0 – 15 |
| Легирующая примесь эпитаксиального слоя | Фосфор |
| Удельное сопротивление эпитаксиального слоя, Ом•см | n-тип 0,5 – 5,0 |
| Типы однослойных структур | n-n+, n-p+ |
| Эпитаксия на пластинах со скрытыми слоями | до 2-х скрытых слоев |
