• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        11
  
  Проектная норма, мкм                        2.0
  
  Подложка:         КЭФ 4.5,  2 кармана
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                 6/7
  
  Подзатворный SiO₂, Å                 425/300
  
  Межслойный диэлектрик:               БФСС
  
  Длина канала: NMOS/PMOS, мкм       2.5
  
  шаг ПКК, мкм                                        4.5
  
  контакты, мкм                                2.4*2.4
  
  шаг металл, мкм                                  8.5
• Применение, элементная база: Логические ИС малой и средней
  степени интеграции с Еп до 5 В.
  NMOS:
  Vtn= 0.6/0.5 B , Usd >12 В
  PMOS:
  Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >14 В