• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        16
  
  Проектная норма, мкм                        1.5
  
  Подложка:        КДБ12,   2 кармана
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6
  
  Межслойный диэлектрик:        БФСС
  
  Подзатворный SiO2, Å                        250
  
  Межслойный диэлектрик:        БФСС
  
  Встроенные транзисторы в ПЗУ
  
  Скрытые контакты
  
  длина канала NMOS/PMOS, мкм        1.5
  
  N и P LDD- стоки
  
  шаг ПКК, мкм                                       2.5
  
  контакты, мкм                                   ø 1.5
  
  шаг по металлу, мкм                           3.5
• Применение, элементная база: Цифровые ИМС. микроконтроллеры
   с Епит=5 В
  
  NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В
  
  PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B