• Характеристика процесса:
  Количество фотолитографий, шт.        9
  
  
  
  Проектная норма, мкм                        5,0
  
  
  
  Подложка:                    460 КЭФ4.5 (100)
  
  
  
  Глубина  P-кармана, мкм                    10
  
  
  
  Подзатворный SiO2, Å                        950
  
  
  
  Межслойный диэлектрик              СTФСС
  
  
  Длина канала: NMOS/PMOS, мкм       5/6
  
  
  
  шаг ПКК, мкм                                      5.5
  
  
  
  контакты, мкм                                     ø 2
  
  
  шаг по металлу, мкм                              8
• Применение, элементная база: Логические ИС малой и средней
  степени интеграции с Еп до 20В.
  NMOS: Vtn= 1.1 B, Usd >27 В
  PMOS: Vtp= -1.0 B, Usd>29 В