• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.       11
  
  Проектная норма, мкм                        1.6
  
  Подложка:            КДБ12, 2 кармана
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6
  
  Подзатворный SiO2, Å                        300
  
  Межслойный диэлектрик                БФСС
  
  Длина канала: NMOS/PMOS, мкм      2.0
  
  шаг ПКК, мкм                                       3.2
  
  контакты, мкм                                   ø 1.5
  
  шаг металла, мкм                                3.6
• Применение, элементная база: Цифровые ИМС
  средней степени интеграции
  для ЭНЧ и микрокалькуляторов 
  
  Eпит от 1.5 В до 3 В.
  
   NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
  
  PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В