• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.         27
  (с метками)
  
  Проектная норма, мкм                           1.2
  
  Подложка: : Эпитаксиальная структура
  КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
  2 кармана
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                  3,0/1,3
  
  Подзатворный SiO2:
  
  низковольтные транзисторы, Å            120
  
  высоковольтные транзисторы, Å          250
  
  Туннельный SiO2, Å                               75
  
  Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å              250
  
  Длина канала:
  
  низковольтные NMOS/PMOS, мкм   0.5/0.5
  
  высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.1/1.0
  
  N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,
  
  шаг ПКК1, мкм                                       2.5
  
  шаг по ПКК2 без контакта, мкм            1.1
  
  Силицид
  
  контакты 1 (заполнены W), мкм            0.5
  
  Межслойный диэлектрик 2:
  
  SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм              1,05
  
  металл I                       Ti/AlCu / Ti /TiN
  
  шаг по металлу 1, мкм                           1.0
  
  Межуровневый диэлектрик SACVD SiO2+ПХО ТЭОС, мкм  0.95
  
  контакты 2 (заполнены W), мкмø         0.5
  
  металл 2                       Ti/AlCu
  
  шаг по металлу 2, мкм                          1.1   
• Применение, элементная база: ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп 5 В
  
  LV NMOS: Vtn=(0.5-0,7)В Usd³12 В
  LV PMOS: Vtр=-(0.6-0,8)В Usd ≤-12 В
  HV- NMOS: Vtn=(0,4-0,7)В Usd³17 В
  HV- РMOS: Vtр=-(0,6-0,9)В Usd ≤-15 В