• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9
  
  Проектная норма, мкм                           3.0
  
  Подложка:                                    КДБ 0,005
  
  эпитаксиальный слой:
  
  толщина, мкм                                     13–34
  
  удельное сопротивление, Ом*см    (2-21)
  
  подзатворный окисел, нм                42,5-80
  
  
  Межслойный диэлектрик      СТФСС(БФСС)
  
  
  Пассивация:                                      НТФСС
• Применение, элементная база: MOSFET
  
  Маломощные     Мощные
  
  Vtn=0,8–2,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
  Uпр= 50–240 В    Uпр= 60–100В
  
  Pmax=1,0 Вт          Pmax=150 Вт