• Характеристика процесса: Подложка                              КЭС 0,01 (111)
  Толщина эпитаксиального слоя, мкм  27-38
  Удельное сопротивление,  Ом x см          8-21 
  6-7 фотолитографий (контактная)
  База: ионная имплантация,
  глубина, мкм                                             6-8
  Эмиттер: диффузия,
  глубина, мкм                                       2,5-5,5
  Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
  Металлизация: Al 4,5  мкм
  Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
  Пассивация:  НТФСС(ПХО)
• Применение, элементная база: Uкб=(330-350) B
  Uкэ=(150-350) В
  Iк=(5-15) А
  h21э>100