• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт 13-15
  Проектная норма, мкм                   2.0
  Подложка:                     460КДБ10 (111)
  Скрытые слои:   7.5КЭС13/1.95КДБ210
  Эпитаксиальный слой:        15.5КЭФ6.5
  Изоляция:                           p-n переход
  Глубина p-базы, мкм                        2.0
  Глубина N+эмиттера, мкм               1.7
  Размер эмиттера, мкм                     9*9
  Расстояние между
  транзисторами, мкм                            4
  Коммутация:
  контакты 1, мкм                                3*3
  шаг 1 металл, мкм                            9.0
  контакты 2, мкм                               4*4
  шаг 2 металл, мкм                          14.0
• Применение, элементная база: Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 60В
  Вертикальный NPN транзистор:
  Вn=150 Uce=70 В
  Горизонтальный РNP транзистор:
  Вр=65 Uсе=70 В
  Вертикальный РNP транзистор:
  Вр=60 Uсе=70 В
  Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
  Ме1-Ме2.
  Резисторы в слоях:
  Изоляция; База; Резистор.